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DMG4800LFG
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I D = 11.6A
I D = 9A
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10,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
T A = 150°C
100
90
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Total Gate Charge
1,000
T A = 125°C
80
70
Single Pulse
R θ JA = 131°C/W
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
T J - T A = P * R θ JA (t)
60
100
50
40
T A = 85°C
30
10
20
T A = 25°C
10
1
T A = -55°C
0
0
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0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 131°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 13 Transient Thermal Response
DMG4800LFG
Document number: DS31785 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2009
? Diodes Incorporated
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